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高壓加速老化試驗箱測試半導體器件可靠性方法
點擊次數:500 更新時間:2025-02-25

高壓加速老化試驗箱測試半導體器件可靠性方法

一、前言

在半導體器件的研發與生產過程中,確保其性能的可靠性和穩定性至關重要。高壓加速老化試驗箱能夠模擬各種惡劣環境條件,通過對半導體器件施加高電壓和高溫等應力,快速暴露潛在的缺陷和故障,大大縮短了產品可靠性驗證的時間。

二、測試流程

樣品準備:選擇一定數量且型號規格相同的半導體器件作為測試樣品,確保樣品外觀無明顯損傷、引腳無變形等。對每個樣品進行編號,記錄初始參數,如正向導通電壓、反向漏電流等。

試驗箱設置:根據半導體器件的特性和測試要求,設置高壓加速老化試驗箱的參數。包括設定老化電壓,一般為器件額定電壓的 1.5 - 2 倍;老化溫度,通常在 100 - 150℃之間;老化時間,可根據實際情況設定為 24 小時、48 小時或更長。

樣品安裝:將編號后的半導體器件小心安裝在試驗箱的樣品架上,確保器件引腳與測試夾具連接牢固,避免虛接影響測試結果。

測試過程:啟動試驗箱,開始老化測試。在老化過程中,每隔一定時間(如 1 小時)對樣品進行一次參數測量,記錄正向導通電壓、反向漏電流、結溫等參數變化。若發現某個樣品參數超出正常范圍,應立即標記并記錄相關情況。

測試結束:達到設定的老化時間后,關閉試驗箱,待溫度降至室溫后,取出樣品。再次對所有樣品進行全面參數測量,并與初始參數進行對比分析,評估器件的老化性能。

測試數據參考:

樣品編號

初始正向導通電壓 (V)

老化 1 小時正向導通電壓 (V)

老化 2 小時正向導通電壓 (V)

老化 3 小時正向導通電壓 (V)

老化結束正向導通電壓 (V)

初始反向漏電流 (A)

老化 1 小時反向漏電流 (A)

老化 2 小時反向漏電流 (A)

老化 3 小時反向漏電流 (A)

老化結束反向漏電流 (A)

初始結溫 (℃)

老化 1 小時結溫 (℃)

老化 2 小時結溫 (℃)

老化 3 小時結溫 (℃)

老化結束結溫 (℃)

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